Crystal IS, ein Unternehmen der Asahi Kasei Gruppe, gab heute die erfolgreiche Serienproduktion von einkristallinem Aluminiumnitrid (AlN)-Substraten mit einem Durchmesser von 100 mm und einer nutzbaren Fläche von 99 % bekannt. Die Substrate werden in den USA hergestellt und entsprechen den aktuellen Anforderungen für UVC-LEDs. Die ultrabreite Bandlücke und die hohe Wärmeleitfähigkeit von AlN tragen dazu bei, die Zuverlässigkeit und Leistung nicht nur von UVCLEDs sondern auch von anderen RF- und Leistungsgeräten der nächsten Generation zu verbessern.

„Die Verbesserung der Qualität unserer Substrate mit großem Durchmesser in den letzten neun Monaten ist ein Beweis für die Kompetenz unseres Teams“, sagte Eoin Connolly, Präsident und CEO von Crystal IS. „Die inhärenten thermischen Vorteile von Aluminiumnitrid können leistungsfähigere RF- und Leistungsgeräte in unternehmenskritischen und Telekommunikationsanwendungen ermöglichen. Wir freuen uns darauf, mit unseren Partnern zusammenzuarbeiten, um dieses Material weiterzuentwickeln.“

Crystal IS stellt an seinem Hauptsitz in Green Island, New York, AIN-Substrate aus einkristallinem Aluminiumnitrid her und begann Ende 2023 mit dem Verkauf von Substraten mit einem Durchmesser von 2 Zoll (50 mm) für die Forschung und Entwicklung von RF- und Leistungsgeräten. Dieser Meilenstein mit einem Durchmesser von 100 mm beschleunigt die Entwicklung neuer Anwendungen auf AIN-Substraten, da diese in bestehende Fertigungslinien für RF- und Leistungsbauelemente mit alternativen Materialien integriert werden können. Das Unternehmen plant, Substrate mit einem Durchmesser von 100 mm, die ausschließlich in seinem Werk in den USA hergestellt werden, noch in diesem Jahr den wichtigsten Partnern anzubieten, die über UVC-LED Anwendungen hinaus expandieren wollen.